本发明提供一种石墨烯晶畴的制备方法,该方法包括以下步骤:提供一镍片和一抛光的铜箔,将所述铜箔置于保护气体中退火;以含镍化合物和硼酸为溶质配置镍电镀溶液;将镍片和退火后的铜箔放入盛有镍电镀溶液的电解槽中通电,使铜箔被电镀后形成铜-镍双面衬底;将铜-镍双面衬底置于氢气气相沉积腔体室中,升温后再恒温一定时间,接着导入碳源使所述铜-镍双面衬底生长石墨烯晶畴;之后停止碳源供应并导入氩气使石墨烯晶畴自然冷却。本发明的石墨烯晶畴的制备方法采用对抛光的铜箔表面电镀镍,并在实施过程中调节退火时间、电镀时间、生长时间、碳源流速、碳源种类等其中一种或多种参数,分别可制备不同层数以及不同尺寸的石墨烯晶畴。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
卢光远 | 吴天如 | 杨超 | 张学富
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