| 申报单位 | 南京大学 |
| 合作单位 | 无 |
| 项目名称 | 第三代半导体GaN基外延材料与器件及应用 |
| 技术类别： | □生物与医药 ✔电子信息 □环保与新能源 □先进制造与新材料 |
| 展 品 简 介 | 第三代半导体GaN基外延材料与器件，是实现高效率白光固态照明与新型显示的基石。研究团队发展了高质量GaN材料外延生长技术，研制出多种新型高能效GaN基发光二极管(LED)发光器件，包括基于非/半极性量子阱的偏振发光LED，表面等离激元耦合增强LED以及p-n结温自感应调节光输出的LED，基于此开发出多款智能照明产品。采用紫外软纳米压印技术制备出氮化物纳米阵列/量子点混合结构单芯片白光LED，并展现超高的色转换效率和量子效率；发明了量子点集成的红绿蓝(RGB)全色Micro-LED芯片,即微发光二极管阵列，可用于高品质显示，申请/授权发明专利多项，入选科技媒体评选的2016年度LED十大创新技术，并被《Semiconductor Compound》等十余家科技媒体高亮报道。 |
| 应用领域 | 该项发明产品可应用于固态照明，新型显示等领域，可实现绿色节能、智能照明;基于Micro-LED的新型显示技术，包括超高分辨显示屏，可穿戴消费电子，AR/VR虚拟显示等领域。 |
| 专利情况 | 暂无 |
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