一种基于表面浮雕结构的环形腔面发射半导体激光器

本发明公开了一种基于表面浮雕结构的环形腔面发射半导体激光器，其特征在于，该环形腔面发射半导体激光器自下至上依次由下电极(1)、衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化层(5)、上DBR(6)、λ/4反相层(7)、上电极(8)、表面浮雕(9)和环形发光区(10)构成。其中，该环形腔面发射半导体激光器引入的λ/4反相层(7)的未腐蚀区域形成的表面浮雕(9)为高损耗区，λ/4反相层(7)的环形腐蚀区为发光区(10)。本发明最显著的特点就是环形腔面发射激光器的高损耗区由无需腐蚀的表面浮雕结构形成，是表面浮雕结构和环形腔结构的优势特征结合，有助于改善器件的输出特性和可靠性，同时克服了现有环形腔面发射半导体激光器在制备方面存在的控制精度差或技术难度大等不足，与标准制备工艺相比，只需增加一次光刻和腐蚀工艺，制备方法简单。
长春理工大学