本发明公开了一种单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法及其应用,其中,该单晶硅正金字塔周期阵列结构绒面制备方法中包括:提供具备亲水性的单晶硅片;在所述单晶硅片表面形成规则排布的聚合物微球薄膜;对所述聚合物微球薄膜进行蚀刻,将单晶硅片表面的聚合物微球彼此分离;对所述聚合物微球进一步进行湿法蚀刻,得到正金字塔周期阵列结构绒面。制备出的正金字塔阵列结构绒面的比表面积小、光子吸收优异,且其制备工艺简单,成本低廉。
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