半导体垂直通孔形成方法及装置

一种半导体垂直通孔形成方法及装置，属特种加工范畴，基于微细电加工原理，以微细群电极作为工具电极，半导体材料(通常为硅、锗、砷化镓、蓝宝石、碳化硅等，电阻率＜100Ω·cm薄片形状)作为工件，依次通过微细电火花放电、微细电化学光整和侧壁钝化工艺，实现半导体垂直通孔(直径Φ＜50μm，深宽比＜10)的加工。实施本发明的装置是提供一种在同一台设备上可连续完成微细电火花放电、微细电化学光整和侧壁钝化工艺的装置，保证了工艺的完整性和定位的精确性；该装置还增设了能够产生激波效应的激波发生器，以利于加工具有大的深宽比的半导体通孔。此工艺方法及装置具有与材料晶向无关、侧壁垂直、热影响区小、加工精度高及工艺灵活等特点。
南京航空航天大学